摘要： 随着年代的推移，内存条的制造技术也在不断的攀升，DDR/DDR2/DDR3内存条“朝代”也在新老更替，而这个过程并没有结束，现有的DDR4和DDR5内存条，也正在不断创造... 随着年代的推移，内存条的制造技术也在不断的攀升，DDR/DDR2/DDR3内存条“朝代”也在新老更替，而这个过程并没有结束，现有的DDR4和DDR5内存条，也正在不断创造普及条件，如果你不明白如何区别DDR1/DDR2/DDR3内存条，可以阅读下文了解DDR、DDR2和DDR3之间的区别和分辨方法。
科技在进步，当然内存条的生产技术也在发展，这就导致了DDR1、DDR2、DDR3内存条的产生，各代差别如下：
ddr 1，2，3代内存的外观区别
DDR1：
一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形。
DDR2：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V。
DDR3：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V。
其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。
至于说到主板上的插槽，三者都不一样，在内存接口上有一个小缺口，DDR DDR2 DDR3内存的每种内存的接口都不会同一位置，因此只能插在购买时得先看好主板上插槽支持那种内存再进行购买内存。而且这三种内存条是不能兼容。
DDR DDR2 DDR3在内存容量上的区别
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DDR1最小的内存只有64M最大的也只有1G的容量，2代的DDR 最少的是256M最大的都已经是4M了。当然DDR2 4G用的人少一般常见的都是1Gx2这样使用的。而DDR3现在最小的都是512M最大的都已经是8G了。一般都是4Gx2这样使用。或者2Gx2这样使用。
DDR DDR2 DDR3在封装区别
早期的DDR封闭颗粒是TSOP，而从DDR2和DDR3开始使用FBGA封装，而DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封装三种规格，而DDR3采用的是16bit芯片使用96球FBGA封装，而且DDR3必须是绿色封装，不能包含任何有害的物质。
参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
DDR DDR2 DDR3在突发长度（BurstLength，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BurstLength，BL）也固定为8，平而DDR的传输周期是2，而DDR2是4。
DDR DDR2 DDR3在逻辑Bank数量上的区别
DDR中有2个Bank和4个Bank。DDR2有4个Bank和8个Bank。而到DDR3的时候已经是8个Bank和16个Bank了。目前就是应对未来大容量芯片的要求，而DDR3很可能将从2G起步，因此逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16逻辑Bank做好了准备。
DDR DDR2 DDR3的寻址时序区别（Timing）
延迟周期数从DDR一代到二代再到三代内存一加一直在增加，三代内存的CL周期也将比二代内存有相应的提高。二代内存的CL范围一般在2到5之间，而二代内存已经增加到5到11之间，并且三代内存延迟（AL）的设计也有所变化。二代内存时AL的范围是0到4，而三代内存时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，三代内存还新增加了一个时序参数-写入延迟。
相对于DDR DDR2，DDR3新增的功能
DDR新增加重置功能， 新增加的重置是DDR3一项重要功能，并且为此功能还专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
DDR3新增ZQ校准功能，ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
以上便是关于DDR、DDR2和DDR3之间的区别和分辨方法，当然用户若是没有实际测量工具，可以使用第三方软件进行检测，但检测信息并非绝对正确的。
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